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        安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT
        2023-12-21 154次

          全新第7代1200V IGBT

          安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具備業界領先的性能水平,能最大程度降低導通損耗和開關損耗,助力客戶的系統設計。

        全新FS7 S系列采用新穎的場截止第7代IGBT和二極管技術,集成一個經優化的二極管以實現低VF 、微調的開關軟度,可在高達175°C的結溫 (TJ) 下工作。FGY140T120SWD在市場上現有的1200V IGBT中具有領先的開關性能。

         

         

          儲能系統方案

          電池可以用來儲存太陽能等可再生能源在高峰時段產生的能量,這樣當環境條件不太有利于發電時,就可以利用這些儲存的能量。

        了解電池儲能系統 (BESS) 的設計挑戰和考慮因素、常用拓撲結構以及選擇最適合您要求的電源轉換半導體器件的技巧。

         

          首次精確仿真

          Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具,使工程師在開發周期的早期階段,通過對復雜電力電子應用進行系統級仿真,獲得有價值的參考信息。

        Elite Power仿真工具通過引領業界的PLECS模型推動先進技術的發展,這些模型適用于DC-DC LLC和CLLC諧振、雙有源橋和相移全橋等硬開關和軟開關應用。

         

          150V N溝道MOSFET

          屏蔽柵PowerTrench

          安森美屏蔽柵 PowerTrench® MOSFET將導通電阻降至盡可能低,并通過領先的軟體二極管保持卓越的開關性能。與其他MOSFET相比,這些MOSFET的Qrr更低。

          

         

          IGBT模塊 A-Type NPC

          1000V, 800A IGBT

          NXH800A100L4Q2包含一個A-Type NPC級,集成1000V FS4 IGBT、1000V極快二極管和一個NTC熱敏電阻。

          

         

      3. 安森美推出第七代SPM31智能功率模塊 (IPM)
      4. onsemi安森美推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領先的解決方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而總體系統成本更低。
        2024-02-28 156次
      5. 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT
      6. 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具備業界領先的性能水平,能最大程度降低導通損耗和開關損耗,助力客戶的系統設計。
        2023-12-21 155次
      7. 安森美1700 V EliteSiC MOSFET碳化硅SiC系列
      8. 新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗,加強了我們EliteSiC系列產品在性能和品質方面的高標準,同時也進一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。 EliteSiC系列產品碳化硅(SiC)。
        2023-01-07 495次
      9. 安森美NCD83591 60 V、3相柵極驅動器
      10. NCD83591是一款60 V、3相柵極驅動器,專為無刷直流,簡稱“BLDC電機應用而設計,集成了三個獨立的半橋驅動器和一個檢測放大器,以提供簡單易用的柵極驅動器。
        2022-12-10 447次
      11. 安森美推出TCPAK57封裝MOSFET
      12. 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5 mm x 7 mm,在頂部有一個16.5?mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發到散熱器上,而不是通過傳統的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱。
        2022-11-30 569次

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