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瑞薩收購Transphorm擴展電源產(chǎn)品陣容
2024-01-11 741次

  瑞薩與Transphorm宣布雙方已達成最終協(xié)議,根據該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%,較過(guò)去十二個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約56%,較過(guò)去六個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN(功率半導體的下一代關(guān)鍵材料)的內部技術(shù),從而擴展其在電動(dòng)汽車(chē)、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長(cháng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。

  

 

Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞薩CEO柴田英利

 

作為碳中和的基石,對高效電力系統的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢,相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅(SiC)和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過(guò)渡。這些先進(jìn)材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開(kāi)關(guān)頻率范圍。在此勢頭下,瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產(chǎn)線(xiàn),并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協(xié)議。

 

  瑞薩現目標是利用Transphorm在GaN方面的專(zhuān)業(yè)知識進(jìn)一步擴展其WBG產(chǎn)品陣容。GaN是一種新興材料,可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優(yōu)勢使客戶(hù)的系統具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此,根據行業(yè)研究,GaN的需求預計每年將增長(cháng)50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車(chē)級GaN技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)新的增強型電源解決方案,例如用于電動(dòng)汽車(chē)的X-in-1動(dòng)力總成解決方案,以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應用的解決方案。

 

  • 瑞薩收購Transphorm擴展電源產(chǎn)品陣容
  • 瑞薩與Transphorm宣布雙方已達成最終協(xié)議,根據該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%,較過(guò)去十二個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約56%,較過(guò)去六個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約78%。
    2024-01-11 742次
  • 瑞薩電子預先公布了第五代R-Car SoC
  • 瑞薩電子預先公布了第五代R-Car SoC的相關(guān)信息,該SoC面向高性能應用,采用先進(jìn)的Chiplet小芯片封裝集成技術(shù),將為車(chē)輛工程師在設計時(shí)帶來(lái)更大的靈活度。舉例來(lái)說(shuō),若高級駕駛輔助系統(ADAS)需要兼顧更突出的AI性能時(shí),工程師可將AI加速器集成至單個(gè)芯片中。
    2023-12-12 982次
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  • 半導體技術(shù)工藝節點(diǎn)是衡量芯片晶體管和其他組件尺寸的標準。這些年來(lái),節點(diǎn)的數量一直在穩步增加,導致計算能力也相應增加。一般來(lái)說(shuō),工藝節點(diǎn)越小,特征尺寸越小,晶體管越小,速度越快,越節能。
    2023-08-03 543次
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    2023-06-09 444次
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    2023-06-09 401次

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