h1_key

當前位置:首頁(yè) >新聞資訊 > 行業(yè)資訊>TPS5430DDAR引腳圖_中文資料
TPS5430DDAR引腳圖_中文資料
2022-07-27 526次


 TPS5430DDAR

TPS5430DDAR

 

一、TPS5430DDAR介紹

  廠(chǎng)商型號:TPS5430DDAR

  品牌名稱(chēng):TI(德州儀器)

  元件類(lèi)別:DC-DC電源芯片

  封裝規格:SO PowerPAD-8

  型號介紹: 可調節電源,24 V 總線(xiàn),耐熱增強型8 引腳 SOIC

  數據手冊:

  在線(xiàn)購買(mǎi): 

 

 

二、TPS5430DDAR概述

  TPS5430DDAR是一種高輸出電流PWM轉換器,集成了低電阻、高側N溝道MOSFET?;迳习ㄒ粋€(gè)高性能電壓誤差放大器,在瞬態(tài)條件下提供嚴格的電壓調節精度;欠壓鎖定電路,防止啟動(dòng),直到輸入電壓達到5.5V;內部設置的緩慢啟動(dòng)電路,用于限制涌入電流;和電壓前饋電路,以改善瞬態(tài)響應。使用ENA引腳,停機電源電流通常降至18mA。其他功能包括有源高使能、過(guò)電流限制、過(guò)電壓保護和熱關(guān)機。為了降低設計復雜度和外部元件數量,TPS543x反饋回路進(jìn)行內部補償。TPS5431旨在通過(guò)高達23 V的電源軌運行。TPS5430調節包括24 V總線(xiàn)在內的多種電源。

  TPS5430DDAR是一種3-a降壓(buck)穩壓器,帶有集成的高端n溝道MOSFET。TPS5431的工作電壓最高為23 V,TPS5430的工作電壓最高為36 V。這些設備通過(guò)電壓前饋實(shí)現恒頻電壓模式控制,以改善線(xiàn)路調節和線(xiàn)路瞬態(tài)響應。內部補償降低了設計復雜性和外部組件數量。

  集成110-mΩ高壓側MOSFET支持高效電源設計,能夠向負載提供3-A連續電流。集成高壓側MOSFET的柵極驅動(dòng)偏置電壓由連接自舉到PH引腳的自舉電容器提供。TPS5430DDAR通過(guò)集成自舉充電二極管來(lái)減少外部組件計數。

  TPS5430DDAR的默認輸入啟動(dòng)電壓通常為5.3 V。ENA引腳可用于禁用TPS5430DDAR,將電源電流降低至18μA。當ENA引腳浮動(dòng)時(shí),內部上拉電流源啟用操作。TPS5430DDAR包括一個(gè)內部慢啟動(dòng)電路,該電路在啟動(dòng)期間減慢輸出上升時(shí)間,以減少沖擊電流和輸出電壓過(guò)沖。最小輸出電壓為內部1.221-V反饋基準。輸出過(guò)電壓瞬態(tài)通過(guò)過(guò)電壓保護(OVP)比較器最小化。當OVP比較器激活時(shí),高壓側MOSFET關(guān)閉并保持關(guān)閉,直到輸出電壓低于預期輸出電壓的112.5%。

  內部逐周期過(guò)電流保護限制集成高側MOSFET中的峰值電流。對于連續過(guò)電流故障條件,TPS5430DDAR將進(jìn)入打嗝模式過(guò)電流限制。熱保護可防止設備過(guò)熱。

 

 

 

三、TPS5430DDAR中文參數/資料

  商品分類(lèi):DC-DC電源芯片

  品牌:TI(德州儀器)

  封裝:SO PowerPAD-8

  包裝:整包裝

  商品標簽:汽車(chē)級

  功能:降壓

  輸出配置:正

  拓撲:降壓

  輸出類(lèi)型:可調式

  輸出數:1

  電壓-輸入(最小值):5.5V

  電壓-輸入(最大值):36V

  電壓-輸出(最小值/固定):1.221V

  電壓-輸出(最大值):32.04V

  電流-輸出:3A

  頻率-開(kāi)關(guān):500kHz

  同步整流器:無(wú)

  工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)

  安裝類(lèi)型:表面貼裝型

  基本產(chǎn)品編號:TPS5430

  RoHS狀態(tài):符合 ROHS3 規范

  濕氣敏感性等級(MSL):1(無(wú)限)

  REACH狀態(tài):非 REACH 產(chǎn)品

  ECCN:EAR99

  HTSUS:8542.39.0001

 

 

四、TPS5430DDAR引腳圖、原理圖、封裝圖

 

 

TPS5430DDAR引腳圖

 

 

 

 

TPS5430DDAR電路圖(原理圖)

 

 

 

 

TPS5430DDAR封裝圖

 

 

  • 時(shí)科榮獲“國際影響力品牌”大獎,引領(lǐng)半導體行業(yè)創(chuàng )新發(fā)展
  • 5月29日,2024電子信息產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力交流大會(huì )暨第七屆“藍點(diǎn)獎”頒獎盛典在深圳龍華隆重舉行。本次大會(huì )匯聚了來(lái)自政府、學(xué)術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界及企業(yè)界的近600位嘉賓,共同探討和展望電子信息產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力的發(fā)展趨勢與前景,并表彰了在電子信息創(chuàng )新發(fā)展、品牌價(jià)值提升及技術(shù)競爭等方面做出卓越貢獻的企業(yè)
    2024-06-03 373次
  • 瑞薩收購Transphorm擴展電源產(chǎn)品陣容
  • 瑞薩與Transphorm宣布雙方已達成最終協(xié)議,根據該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%,較過(guò)去十二個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約56%,較過(guò)去六個(gè)月的成交量加權平均價(jià)格溢價(jià)約78%。
    2024-01-11 764次
  • 瑞薩電子預先公布了第五代R-Car SoC
  • 瑞薩電子預先公布了第五代R-Car SoC的相關(guān)信息,該SoC面向高性能應用,采用先進(jìn)的Chiplet小芯片封裝集成技術(shù),將為車(chē)輛工程師在設計時(shí)帶來(lái)更大的靈活度。舉例來(lái)說(shuō),若高級駕駛輔助系統(ADAS)需要兼顧更突出的AI性能時(shí),工程師可將AI加速器集成至單個(gè)芯片中。
    2023-12-12 1001次
  • ROHM羅姆半導體采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
  • ROHM羅姆半導體開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。
    2023-12-12 914次
  • MPS全系列電機驅動(dòng)產(chǎn)品
  • MPS芯源系統在上海舉辦了一場(chǎng)電機驅動(dòng)產(chǎn)品媒體發(fā)布會(huì )。MPS 公司模擬產(chǎn)品線(xiàn)總監瞿松(Song Qu)協(xié)同 MPS 公司中國區負責電機驅動(dòng)和傳感器產(chǎn)品的 BD 經(jīng)理潘興卓(Patrick Pan)分享了在汽車(chē)電子,特別是汽車(chē)電機驅動(dòng)的發(fā)展方向、技術(shù)及市場(chǎng)優(yōu)勢,以及未來(lái)的布局和規劃,并介紹了一些新產(chǎn)品。
    2023-11-06 1025次

    萬(wàn)聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關(guān)注公眾號,優(yōu)惠活動(dòng)早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問(wèn)題請移至我的售后服務(wù)提交售后申請,其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復
    返回頂部